Главная > Разное > Современная квантовая химия. Том 2
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

8. Электроны в неполярных системах

В последнее время был выполнен ряд экспериментальных исследований свойств избыточных электронов в простых одноатомпых плотных жидкостях. При этом было выяснено следующее:

а) При температурах ниже Х-точки в подвижность зависит от температуры как где К [341. Данный результат, несомненно, свидетельствует о том, что основной механизм диссипации состоит во взаимодействии электронов с ротонами [34].

б) Выше Х-точки в и выше механизм диссипации становится совершенно другим. Электронная подвижность при этом относительно мала (порядка -сек) и зависит от плотности и вязкости жидкости [34, 35а — в].

в) Недавно Снайдере, Райс и Мейер наблюдали высокие электронные подвижности в жидком аргоне при 90° К) и в жидком криптоне при 120° К) [361.

Из указанных экспериментальных результатов нельзя пока составить ясной картины взаимодействия избыточного электрона с жидкостью. Можно только сразу выделить возможность двух крайних случаев: квазисвободного электрона и локализованного электрона. Этот вопрос уже рассматривался в предыдущем разд. II-1. Мы продолжим здесь изложение основных черт формализма псевдопотенциала [37] в применении к исследованию взаимодействия электрон — гелий. Псевдопотенциал для взаимодействия электрон — гелий выбирается так, чтобы исключить условие ортогональности волновой функции избыточного электрона к занятой -орбитали гелия, а именно

где V — ССП-потенциал; нелокальный отталкивательный потенциал. Как теперь хорошо известно, выбор нсевдопотенциала не является единственным. Мы будем использовать форму Коэна и Хейне, а также Остина и др.:

где — гладкая псевдоволновая функция избыточного электрона; — волновая -функция оболочки гелия. Псевдопотенциал для электрон-гелиевого взаимодействия может быть записан в виде

где — потенциалы соответственно кулоновского, ядерного и обменного взаимодействий избыточного электрона

с оболочкой гелия. Непосредственный подсчет приводит к следующему результату:

Более подробное обсуждение псевдопотенциала см. в разд. II-2.

Основной результат будет здесь использован для изучения как свободного, так и локализованного состояний избыточного электрона в гелии.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление