Главная > Оптика > Оптические вычисления
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

3.6. Выводы

ПЗС-технология на GaAs обладает потенциальными возможностями внести значительный вклад в оптическую обработку и оптические вычисления в области матриц фотоприемников и пространственных модуляторов света. В области детекторов ПЗС предлагают значительные вспомогательные функции, такие как мультиплексирование, демультиплексирование и временное интегрирование сигналов фотоприемников. Что действительно отличает GaAs от кремния, так это продемонстрированная возможность достижения тактовых частот ПЗС, намного больших

1 ГГц, что является важным режимом для многих процессоров ЭООС. Арсенид-галлиевые ПЗС-структуры с затворами на барьерах Шоттки, такие как структуры с резистивным затвором, являются совместимыми с требованиями, предъявляемыми к широкополосным полевым транзисторам. Таким образом, возможно создание матриц фотоприемников с высоким уровнем интеграции вспомогательных цепей. Для ПМС квантоворазмерные структуры на GaAs и GaAs/AlGaAs обладают уникальными эффектами электропоглощения, не обнаруживаемыми в кремнии. Описанная здесь предварительная работа показала, что адресуемые ПЗС-квантоворазмерные структуры являются многообещающими для получения быстродействующих двумерных ПМС, удовлетворяющих требованиям к значениям экстинкции и, возможно, к уровню эффектов выбеливания. Однако в этом случае необходимо дополнительное понимание физики этого устройства.

За исключением квантоворазмерных структур, были созданы основные принципы и варианты этих устройств в уменьшенных масштабах. Основная задача остается в усовершенствовании конструкций устройств, повышении качества материалов и создании больших одно- и двумерных матриц. К сожалению, материалы и технология изготовления GaAs и AlGaAs находятся на низком уровне развития по сравнению скремнием и

это является главным препятствием для технологии описанных выше устройств. Недавний всплеск интереса к интегральным схемам на GaAs дает надежды на то, что однажды появятся матрицы детекторов со сверхвысокой степенью интеграции и ПМС, созданные на основе ПЗС-структур.

В доказательство этого следует заметить, что недавно были продемонстрированы ПЗС-пространственные модуляторы света, использующие квантоворазмерные GaAs/AlGaAs и GaAs/InGaAs структуры [2, 12, 21].

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление